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　　碳化硅的帶隙是硅（寬帶隙）的2.8倍，達到3.09電子伏特，其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，達到3.2MV/cm，導熱系數是硅的3.3倍，4W/cm。肖特基二極管和MOS場EF。碳化硅制成的FECT晶體管的厚度比同一耐壓硅器件大一個數量級，硅的雜質濃度可以達到2個數量級，因此碳化硅器件的單位面積阻抗僅為THA的100。
　　硅器件的漂移電阻幾乎等于器件的總電阻，因此碳化硅器件的發(fā)熱值很低，這有助于降低傳導損耗和開關損耗，其工作頻率通常比硅高10倍。此外，碳化硅半導體具有固有的強抗輻射性。
　　近年來，采用碳化硅材料制備的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）可以通過使用小型注射技術將普通硅器件中的IGBT降低到1／10，并結合碳化硅器件的小熱值來實現其導熱性。碳化硅器件的優(yōu)良性能，碳化硅功率器件在400℃的高溫下也能正常工作，通過小體積器件可以控制大電流，工作電壓也更高。